Promessa de salto de desempenho para IA e GPUs de próxima geração
Intel – Ao lado da SoftBank, a gigante avalia introduzir a Z-Angle Memory (ZAM), tecnologia que deve chegar à produção entre 2028 e 2030, entregando o dobro da largura de banda da HBM4 e reposicionando o mercado de aceleração de IA.
- Em resumo: cada pilha ZAM alcança 5,3 TB/s graças a um empilhamento vertical de 9 camadas.
Arquitetura 3,5D mira densidade sem penalizar energia
O protótipo combina oito dies de DRAM sobre um controlador lógico único, todos interligados por 13,7 mil vias TSV. Segundo a Intel, a abordagem melhora a dissipação térmica e consome menos watts por gigabit transferido que HBM4, argumento reforçado pelos dados divulgados no VLSI Symposium 2026. Para especialistas da Tom’s Hardware, esse layout vertical reduz gargalos típicos de fio em camadas altas.
A densidade da ZAM atinge ~0,25 Tb/s por mm², dobrando a largura de banda da HBM4 numa área semelhante.
Contexto de mercado: por que isso importa para a corrida da IA
Modelos generativos, como GPT-4, já escalam para trilhões de parâmetros e exigem centenas de gigabytes por GPU. Hoje, soluções com HBM3e entregam até 1,2 TB/s por pilha, limite projetado para ser ultrapassado apenas na HBM4E em 2027. A entrada da ZAM logo em seguida cria um divisor de águas: maior throughput, densidade de 30 GB por pacote e possível redução de custo de empacotamento, fatores que podem influenciar fabricantes como NVIDIA, AMD e startups de aceleradores.
O que diferencia a ZAM da HBM tradicional?
Empilhamento 3,5D com controlador único e vias TSV otimiza largura de banda e calor.
Quando veremos produtos comerciais usando ZAM?
Intel e SoftBank projetam escala industrial entre 2028 e 2030, após validação em 2026.
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Crédito da imagem: Divulgação / SAIMEMORY
